在晶圆代工战役的系列文章中曾跟读者介绍过，集成电路（IC 芯片）把杂乱的电路微缩到晶圆上，再通过两三百道以上的杂乱工序，并完结封装测验后，所制作出的电子元件。
IC 能够说是一个完好的电路系统，能用来处理资讯。电脑、手机、数位相机、电视、冰箱… 等消费性电子产品或家电用品，里边全都有IC芯片。
存储IC 是用来贮存材料用的，像是从前介绍的DRAM、SRAM、NAND Flash。
今后别再说台积电代工芯片了，这些芯片在规划时都叫「IC 规划」、制作时都叫「晶圆代工」、在封装测验时都叫「封测」。统统都是集成电路集成的IC 芯片。
但芯片的类型和担任出产的厂商可是有百百种（还有DSP 芯片、南北桥芯片、乙太网路接口芯片…），每种都差许多呢！
准确点要说：台积电的主力出产的是ARM 架构的CPU 芯片噢！（GPU 芯片和存储也有一些啦）
信任之前必定许多人搞不懂：相同都叫做「晶圆代工厂」，为什么台积电与华亚科感觉在做的工作不太相同？
相同都叫做「IC 封测厂」，为什么日月光、矽品，和南茂、力成，前一组和后一组厂商感觉起来在做的工作不相同？
由于台积电、日月光和矽品是担任处理器（CPU）芯片的制作和封测；而华亚科、南茂与力成则是担任存储（Memory, DRAM）芯片的制作和封测，相同都叫IC 芯片，却是很不相同的啊！
相同的道理，为咱们弥补IC Insights 组织在去年底发布的2016 年全球前十大半导体厂商排名。
以「营运办法」来分类——有些是IDM、有些是纯IC 规划、有些是纯晶圆代工、有些是封测、有些是卖IP 架构。
以「制作产品」来分类——有些做存储IC、有些做处理器IC、有些做通讯IC、车用芯片IC… 排列组合起来便是千百种变化了：
三星也是IDM 厂商，有自有处理器但量不多、产品以DRAM、NAND Flash 等存储为主。
SK 海力士有自己的存储厂和存储产品，但也有做显现器IC 和电源IC 的晶圆代工。
德州仪器是全球榜首大DSP（数位信号处理器）芯片和模仿IC 大厂。
… 所以各家的竞争对手各自不同，若拿美光比联发科的竞争力，事实上是不太有意义的工作。（尽管相同叫半导体IC公司）
据IC Insights 表明，假如存储价格持续上涨，三星最快将于本年第二季替代 1993 年以来雄踞营收榜首的Intel，成为全球半导体龙头。
原因就在于Intel 首要卖的是处理器，而三星作为DRAM 与NAND Flash 存储市占榜首，受惠于几季来的存储价格飞长，有望2017 全年营收打败Intel。两者现在营收都已届600 亿美元的等级。
（不过笔者自己以为这有点像哈密瓜比西瓜… 两家都是「半导体大厂」但业务范围不相同啊囧）
本篇为咱们收拾一些半导体工业出资可供参阅的商场目标和介绍，包含上面提的厂商！
依据北美半导体设备制作商曩昔三个月的均匀订单金额，除以曩昔三个月均匀设备出货金额。
藉由B/B值，能调查厂商对半导体工业未来景气的观点。比方2016年12月北美半导体设备制作商均匀订单金额为19.9亿美元、出货为18.7亿美元，B/B值为1.06。
代表半导体设备业者当月每出货100美元产品，就能接获价值106美元的订单。显现工业后续出货情况将保持上升走势，商场需求微弱。可知2017年半导体出货水平将高于2016。
尽管B/B Ratio 被blocked 起来了，但出货金额仍是会持续发布的；约每月第三周发布前一个月数据。聊胜于无～ XD
台积电大多是Direct Account，但假如要看整个半导体工业，其他小的半导体制作厂就要看通路商的库存情况。
费城半导体指数设立于1993 年12 月1 日，为全球半导体业景气首要目标之一。
指数的核算办法是采纳「股价算术均匀」的办法，和台股采纳「市值加权均匀」的办法不同；所以INTEL涨一美元对费城半导体指数的影响，和Altera、MOTOLORA涨一美元是相同的。
费城半导体指数成份股为美国16家具代表性的半导体公司，包含了「设备厂商」、「芯片制作厂商」及「IC 规划公司」。
有鉴于台股中的半导体工业占了总市值的23%，费城半导体指数中的企业也多与台湾半导体厂商有连接，是一个重要的调查目标。
有人说台股与费半的相关系数，比台股和S&P 或纳斯达克指数的相关系数还高。但我没时刻去载材料跑线性回归来验证这句话… 有爱好的读者就请自己去玩玩看了～
引荐能够参阅集邦科技的网站，上面有现在干流标准DRAM和Flash的合约价与现货价走势。
信任读者都知道DRAM便是存储，但是DRAM也有许多种不同的完成办法，比方SDRAM（同步DRAM,和SRAM不相同噢）。
SDRAM 的S 是同步的缩写，乃是以DRAM 的根本结构为根底，对输入输出接口进行时脉同步，然后提高了读写的功率。
简略来说便是一种新式的 DRAM 技能，能节约指令履行和材料传输的时刻。有一阵子SDRAM 适当盛行。
后来DDR 又不断改造，演进出DDR2（第二代的DDR）、 DDR3 （第三代的DDR）、DDR4 （第四代的DDR）。
所以说这些现在咱们遍及运用的存储，是在SDARAM 的根底上进行了进一步的改进和晋级。
DDR3 较DDR2 具有更高的频宽（每秒传输速率达2133 Mb/s）、更低功耗（存储电压从DDR2 的1.8 伏特、降至1.5 伏特，能下降电池消耗量），以及更大的组成容量。
最新一代的DDR4 又供给了比DDR3 更高的频宽（3200 Mb/s）与更低的供电电压（1.2 伏特）。
DDR4 是现在存储的干流标准，4 GB 是存储芯片内能存的材料量（即芯片密度）。
512Mx8 代表该芯片的长x宽。长以位元(bit) 表明，意即512Mbit。宽以位元组表明，意即8 byte。
补白：8 个bit 等于1 个byte。位元组(byte) 是指存储贮存材料的根本单位。一般会用小写b 代表bit、大写B 代表byte。
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